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Voltaje de avería de la Dren-fuente del MOSFET P-Chan de las piezas IRFR9214PBF de la aviación 250 V
| Número de modelo | IRFR9214PBF |
|---|---|
| Cantidad de orden mínima | PC 1 |
| Precio | Negociable |
| Detalles de empaquetado | cajas |
| Condiciones de pago | L/C, T/T |
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xDatos del producto
| Fabricante | VISHAY | Categoría de producto | MOSFET |
|---|---|---|---|
| Tecnología | Si | Montaje de estilo | SMD/SMT |
| Paquete/caso | TO-252-3 | Polaridad del transistor | P-canal |
| Identificación - Corriente continua del dren | 2,7 A | Rds en - resistencia de la Dren-fuente | 3 ohmios |
| Resaltar | IRFR9214PBF Partes para aeronaves,Partes para la aviación de 250 V,MOSFET IRFR9214PBF de 250 V |
||
Descripción de producto
Aviation Parts IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Drain-Source Breakdown Voltaje 250 V
Descripciones de piezas de aviación:
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una baja resistencia por área de silicio.Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.El DPAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojas o por ola.La versión de cable recto (serie IRFU, SiHFU) es para aplicaciones de montaje de orificio pasante.Los niveles de disipación de potencia de hasta 1,5 W son posibles en aplicaciones típicas de montaje en superficie.
Características de las piezas de aviación:
- Tecnología de proceso avanzada
- Completamente calificado para avalanchas
- Montaje en superficie (IRFR9214, SiHFR9214)
- Cable recto (IRFU9214, SiHFU9214)
- canal P
- Conmutación rápida
Especificaciones de piezas de aviación:
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | TO-252-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal P |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 250 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2,7 A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 3 ohmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 4 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 14 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 50W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Serie: | IRFR/U |
| Embalaje: | Tubo |
| Marca: | Semiconductores Vishay |
| Configuración: | Soltero |
| Altura: | 2,38mm |
| Longitud: | 6,73 mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Ancho: | 6,22 mm |
| Unidad de peso: | 0.011640 onzas |
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